Samsung разработала 3D NAND флеш на 900 слоев Для этого компания использовала технологию Cell Multi-Bonding (CMB), которая помогла установить две 450-…
Для этого компания использовала технологию Cell Multi-Bonding (CMB), которая помогла установить две 450-слойные пластины ячеек на одном чипе. «Двухэтажная» структура позволяет резко повысить плотность хранения данных и снизить потребление энергии.
Для сравнения, сейчас на рынке есть NAND от SK Hynix на 321 слой, так что разработка Samsung может повысить плотность хранения данных в 3 раза. Фактически это позволит создавать SSD на 2 и даже 4 ТБ с одним чипом памяти. Но в любом случае это лишь прототип, и до выхода на рынок может пройти не один год. К тому же остается вопрос надежности – чем больше слоев, тем сильнее выражена проблема их сдвига и деформации.
Мой Компьютер