09.04.2026 19:53
Intel Foundry представляет сверхтонкий GaN-чиплет 19 мкм
Intel Foundry представила (https://community.intel.com/t5/Blogs/Intel-Foundry/Systems-Foundry-for-the-AI-Era/Intel-Foundry-Achieves-Breakthrough-with-World-s-Thinnest-GaN/post/1743389?cid=iosm&campid=foundry_ao_2026&content=100010240972948&icid=ifs-intel-foundry-services-campaign)
сверхтонкий чиплет на основе нитрида галлия (GaN) толщиной всего 19 мкм на базе стандартных 300-мм кремниевых пластин. Главная особенность разработки заключается в успешном объединении мощных GaN-транзисторов с традиционными цифровыми схемами на одном кристалле. Это позволило создать первые в отрасли монолитные схемы управления, встроенные непосредственно в энергосберегающую микросхему, что устраняет необходимость в отдельных сопутствующих чипах и значительно сокращает потери энергии.
Новая технология призвана преодолеть физические пределы кремния, предлагая более высокую плотность мощности и стабильную работу при экстремальных температурах. Благодаря способности GaN эффективно работать на частотах свыше 300 ГГц, чиплеты станут ключевым компонентом для инфраструктуры сетей 5G и 6G, спутниковой связи и радарных систем. В центрах обработки данных разработка позволит размещать компактные стабилизаторы напряжения максимально близко к процессорам, минимизируя потери при передаче питания и упрощая системы охлаждения. Совместимость процесса с существующими 300-мм производственными линиями Intel обеспечит быстрое внедрение технологии в массовые продукты без необходимости инвестиций в новые заводы.
сверхтонкий чиплет на основе нитрида галлия (GaN) толщиной всего 19 мкм на базе стандартных 300-мм кремниевых пластин. Главная особенность разработки заключается в успешном объединении мощных GaN-транзисторов с традиционными цифровыми схемами на одном кристалле. Это позволило создать первые в отрасли монолитные схемы управления, встроенные непосредственно в энергосберегающую микросхему, что устраняет необходимость в отдельных сопутствующих чипах и значительно сокращает потери энергии.
Новая технология призвана преодолеть физические пределы кремния, предлагая более высокую плотность мощности и стабильную работу при экстремальных температурах. Благодаря способности GaN эффективно работать на частотах свыше 300 ГГц, чиплеты станут ключевым компонентом для инфраструктуры сетей 5G и 6G, спутниковой связи и радарных систем. В центрах обработки данных разработка позволит размещать компактные стабилизаторы напряжения максимально близко к процессорам, минимизируя потери при передаче питания и упрощая системы охлаждения. Совместимость процесса с существующими 300-мм производственными линиями Intel обеспечит быстрое внедрение технологии в массовые продукты без необходимости инвестиций в новые заводы.