27.04.2026 08:00
💾 Samsung создала первый чип DRAM тоньше 10 нанометров Южнокорейский гигант Samsung Electronics получил работоспособный
💾 Samsung создала первый чип DRAM тоньше 10 нанометров
Южнокорейский гигант Samsung Electronics получил работоспособный образец памяти DRAM по техпроцессу 10a — это первый чип с геометрией 9,5-9,7 нм, открывающий новую эру субдесятинанометровых литографических норм в производстве памяти. Массовый выпуск запланирован на 2028 год.
Три поколения техпроцессов (10a, 10b, 10c) будут использовать архитектуру ячеек 4F² и транзисторы с вертикальным каналом (VCT), что увеличит плотность размещения элементов на 30-50%. Конденсатор монтируется над транзистором, а периферийные схемы — на отдельном кристалле методом гибридного соединения. Вместо кремния компания применяет оксид индия, галлия и цинка (IGZO) для каналов транзисторов — это подавляет токи утечки и стабилизирует хранение данных. Техпроцесс 10d станет переходом к 3D DRAM.
Конкуренты выбирают другой путь: Micron Technology и китайские производители намерены пропустить этапы 4F² и VCT, сразу перейдя к трёхмерной компоновке. Это позволит избежать дорогостоящей EUV-литографии — критично для китайских компаний под санкциями. SK hynix пойдёт по стопам Samsung, но применит 4F² и VCT только в рамках техпроцесса 10b.
Кто быстрее дойдёт до 3D DRAM — эволюционным путём или революционным скачком?
💡 GPT, Claude, Gemini в одном сервисе — chatru.net
Южнокорейский гигант Samsung Electronics получил работоспособный образец памяти DRAM по техпроцессу 10a — это первый чип с геометрией 9,5-9,7 нм, открывающий новую эру субдесятинанометровых литографических норм в производстве памяти. Массовый выпуск запланирован на 2028 год.
Три поколения техпроцессов (10a, 10b, 10c) будут использовать архитектуру ячеек 4F² и транзисторы с вертикальным каналом (VCT), что увеличит плотность размещения элементов на 30-50%. Конденсатор монтируется над транзистором, а периферийные схемы — на отдельном кристалле методом гибридного соединения. Вместо кремния компания применяет оксид индия, галлия и цинка (IGZO) для каналов транзисторов — это подавляет токи утечки и стабилизирует хранение данных. Техпроцесс 10d станет переходом к 3D DRAM.
Конкуренты выбирают другой путь: Micron Technology и китайские производители намерены пропустить этапы 4F² и VCT, сразу перейдя к трёхмерной компоновке. Это позволит избежать дорогостоящей EUV-литографии — критично для китайских компаний под санкциями. SK hynix пойдёт по стопам Samsung, но применит 4F² и VCT только в рамках техпроцесса 10b.
Кто быстрее дойдёт до 3D DRAM — эволюционным путём или революционным скачком?
💡 GPT, Claude, Gemini в одном сервисе — chatru.net