16.05.2026 17:30
⚡ Токийский университет создал квантовую память в 25 раз быстрее обычной RAM Учёные из Токийского университета и центра
⚡ Токийский университет создал квантовую память в 25 раз быстрее обычной RAM
Учёные из Токийского университета и центра RIKEN CEMS представили прототип памяти на основе переноса спин-орбитального момента электрона вместо обычного тока. Ключевая особенность: переключение состояний за 40 пикосекунд при минимальном энергопотреблении — элемент просто не успевает разогреться из-за сверхкоротких импульсов.
В основе технологии — антиферромагнетик станнид тримарганца (Mn₃Sn). Его атомы образуют особую кагоме-решётку с магнитными моментами под 120° друг к другу, что даёт гигантский аномальный эффект Холла. Материал мгновенно реагирует на спин-орбитальный момент без значительных токов — почти исключается паразитное тепло от столкновений электронов с атомами.
Прототип показал 10¹² циклов переключения (недостижимо для современной энергонезависимой памяти) и работает не только от электрических импульсов, но и от 60-пикосекундных фототоков лазера 1550 нм — длины волны телекоммуникационных оптоволокон. Это открывает путь к прямой интеграции памяти с оптическими каналами без промежуточной CMOS-логики.
Для ИИ-ускорителей и дата-центров технология может стать игровым изменением: сочетание скорости DRAM, энергонезависимости флеш-памяти и минимального тепловыделения — комбинация, которую индустрия пытается реализовать больше 20 лет.
Сможет ли спинтронная память решить проблему перегрева современных процессоров?
🧠 AI без VPN, на русском, в рублях — chatru.net
Учёные из Токийского университета и центра RIKEN CEMS представили прототип памяти на основе переноса спин-орбитального момента электрона вместо обычного тока. Ключевая особенность: переключение состояний за 40 пикосекунд при минимальном энергопотреблении — элемент просто не успевает разогреться из-за сверхкоротких импульсов.
В основе технологии — антиферромагнетик станнид тримарганца (Mn₃Sn). Его атомы образуют особую кагоме-решётку с магнитными моментами под 120° друг к другу, что даёт гигантский аномальный эффект Холла. Материал мгновенно реагирует на спин-орбитальный момент без значительных токов — почти исключается паразитное тепло от столкновений электронов с атомами.
Прототип показал 10¹² циклов переключения (недостижимо для современной энергонезависимой памяти) и работает не только от электрических импульсов, но и от 60-пикосекундных фототоков лазера 1550 нм — длины волны телекоммуникационных оптоволокон. Это открывает путь к прямой интеграции памяти с оптическими каналами без промежуточной CMOS-логики.
Для ИИ-ускорителей и дата-центров технология может стать игровым изменением: сочетание скорости DRAM, энергонезависимости флеш-памяти и минимального тепловыделения — комбинация, которую индустрия пытается реализовать больше 20 лет.
Сможет ли спинтронная память решить проблему перегрева современных процессоров?
🧠 AI без VPN, на русском, в рублях — chatru.net