💾 Samsung создал прототип 900-слойного чипа памяти Корейский технологический гигант представил первый в мире экспериментальный образец 900-слойной NAN…
Корейский технологический гигант представил первый в мире экспериментальный образец 900-слойной NAND-памяти. Разработка базируется на технологии Cell Multi-Bonding (CMB) — две 450-слойные пластины объединены в одном чипе. Такая архитектура критически важна для AI-нагрузок: многослойная структура увеличивает плотность хранения данных и резко снижает энергопотребление.
Сейчас мировое лидерство удерживает SK hynix с 321-слойными микросхемами. Но Samsung готовится переломить ситуацию: компания выходит на массовый выпуск 400-слойных чипов, а в исследовательских лабораториях уже достигла планки в 900 слоёв. Путь к таким высотам был непростым — при увеличении количества слоёв инженеры столкнулись с деформацией пластин и смещением. Решение нашли через усовершенствованную конструкцию зажима и технологию коррекции наложения.
Давление растёт и с востока: китайская YMTC при поддержке государства уже наладила массовое производство 294-слойных чипов. Samsung ускоряет разработку 900-слойной технологии, чтобы удержать преимущество в долгосрочной перспективе.
Кто первым доведёт сверхплотную память до серийного производства?
🆓 Бесплатный доступ к нейросетям — chatru.net