25.06.2026 14:17
🔬 IBM готовит прорыв: чипы толщиной в 15 атомов кремния IBM представила технологию производства субнанометровых чипов 0
🔬 IBM готовит прорыв: чипы толщиной в 15 атомов кремния
IBM представила технологию производства субнанометровых чипов 0.7 нм (7 ангстрем) — первую в отрасли на таком уровне. Это развитие архитектуры Gate-All-Around (GAA), где нанопроводные каналы транзисторов полностью окружены затворами. Массовое производство запланировано на 2031 год, обещая резкое снижение энергопотребления при росте мощности. Сейчас IBM с японской Rapidus внедряют 2-нм чипы GAA, технология родилась 15 лет назад совместно с Samsung.
Следующий шаг — архитектура NanoStack: вместо плоской упаковки транзисторов IBM укладывает их вертикально со смещением друг над другом, как в технологии CFET от IMEC. Это «настоящее 3D» — переход в третье измерение для дальнейшего масштабирования. На кристалле размером с ноготь компания обещает разместить почти 100 млрд транзисторов — вдвое плотнее нынешних 2-нм решений. Ширина каналов — всего 15 атомов кремния.
По расчётам IBM, новый техпроцесс даст до 50% прирост производительности либо до 70% повышение энергоэффективности против 2 нм. Масштабирование SRAM улучшится на 40% — критично для ИИ-ускорителей: чем больше быстрой памяти рядом с вычислительными блоками, тем меньше энергии уходит на перемещение данных. Именно энергопотребление и охлаждение сегодня главный тормоз роста дата-центров для искусственного интеллекта.
Когда вертикальная упаковка транзисторов станет новым стандартом индустрии?
⚡ Новости технологий первыми — Telegram
IBM представила технологию производства субнанометровых чипов 0.7 нм (7 ангстрем) — первую в отрасли на таком уровне. Это развитие архитектуры Gate-All-Around (GAA), где нанопроводные каналы транзисторов полностью окружены затворами. Массовое производство запланировано на 2031 год, обещая резкое снижение энергопотребления при росте мощности. Сейчас IBM с японской Rapidus внедряют 2-нм чипы GAA, технология родилась 15 лет назад совместно с Samsung.
Следующий шаг — архитектура NanoStack: вместо плоской упаковки транзисторов IBM укладывает их вертикально со смещением друг над другом, как в технологии CFET от IMEC. Это «настоящее 3D» — переход в третье измерение для дальнейшего масштабирования. На кристалле размером с ноготь компания обещает разместить почти 100 млрд транзисторов — вдвое плотнее нынешних 2-нм решений. Ширина каналов — всего 15 атомов кремния.
По расчётам IBM, новый техпроцесс даст до 50% прирост производительности либо до 70% повышение энергоэффективности против 2 нм. Масштабирование SRAM улучшится на 40% — критично для ИИ-ускорителей: чем больше быстрой памяти рядом с вычислительными блоками, тем меньше энергии уходит на перемещение данных. Именно энергопотребление и охлаждение сегодня главный тормоз роста дата-центров для искусственного интеллекта.
Когда вертикальная упаковка транзисторов станет новым стандартом индустрии?
⚡ Новости технологий первыми — Telegram