23.07.2026 17:00
⚡️ Один электрон на бит: китайские учёные создали память будущего Исследователи из Фуданьского университета в Шанхае ра
⚡️ Один электрон на бит: китайские учёные создали память будущего
Исследователи из Фуданьского университета в Шанхае разработали экспериментальную энергонезависимую память Guiyi («Единство»), где для хранения одного бита достаточно единственного электрона — физического минимума. Современная флеш-память использует сотни тысяч электронов на бит. Публикация вышла 16 июля в журнале Science.
Главная проблема одноэлектронной записи — паразитная краевая ёмкость, в шумах которой тонет заряд одного электрона. Команда решила это через самовыравнивающуюся планарную архитектуру (сток, канал и исток в одной плоскости) и двумерные материалы. Слой графена блокирует утечку электрона из ячейки.
Результат: добавление или удаление одного электрона меняет пороговое напряжение транзистора на 0,5 В — это почти в 10 раз больше, чем в эксперименте 1997 года (55 мВ, хранение менее 5 секунд). Новая ячейка работает при комнатной температуре без питания. Авторы обещают многоуровневую запись на базе одного электрона.
Технология нацелена на AI-системы: больше памяти рядом с вычислительными блоками — меньше энергозатратной пересылки данных. Осенью стартует компания для коммерциализации, выход на рынок ожидается через 3–5 лет. Пока подтверждены только лабораторные образцы — впереди проверка ресурса перезаписи, скорости и выхода годных при массовом производстве.
Один электрон как носитель информации — это абсолютный физический предел плотности записи. Дальше только квантовые состояния.
📊 GPT, Claude, Gemini, DeepSeek, GigaChat — один сервис: chatru.net
Исследователи из Фуданьского университета в Шанхае разработали экспериментальную энергонезависимую память Guiyi («Единство»), где для хранения одного бита достаточно единственного электрона — физического минимума. Современная флеш-память использует сотни тысяч электронов на бит. Публикация вышла 16 июля в журнале Science.
Главная проблема одноэлектронной записи — паразитная краевая ёмкость, в шумах которой тонет заряд одного электрона. Команда решила это через самовыравнивающуюся планарную архитектуру (сток, канал и исток в одной плоскости) и двумерные материалы. Слой графена блокирует утечку электрона из ячейки.
Результат: добавление или удаление одного электрона меняет пороговое напряжение транзистора на 0,5 В — это почти в 10 раз больше, чем в эксперименте 1997 года (55 мВ, хранение менее 5 секунд). Новая ячейка работает при комнатной температуре без питания. Авторы обещают многоуровневую запись на базе одного электрона.
Технология нацелена на AI-системы: больше памяти рядом с вычислительными блоками — меньше энергозатратной пересылки данных. Осенью стартует компания для коммерциализации, выход на рынок ожидается через 3–5 лет. Пока подтверждены только лабораторные образцы — впереди проверка ресурса перезаписи, скорости и выхода годных при массовом производстве.
Один электрон как носитель информации — это абсолютный физический предел плотности записи. Дальше только квантовые состояния.
📊 GPT, Claude, Gemini, DeepSeek, GigaChat — один сервис: chatru.net