⚡ Китай прорывается в EUV-литографию с помощью экс-инженера ASML Китайские исследователи создали источник лазерного изл
Китайские исследователи создали источник лазерного излучения в сверхжёстком ультрафиолетовом диапазоне (EUV) — ключевой компонент для производства чипов по нормам менее 7 нм. Прорыву помог Линь Нань, бывший разработчик голландской ASML — монополиста на рынке EUV-оборудования.
До этого китайские прототипы показывали КПД всего 3,42% и мощность 100-150 Вт — годится для лаборатории, но не для массового производства. Для сравнения: серийные системы ASML выдают 600 Вт, а планируют поднять до 1000 Вт. Чем мощнее источник, тем больше чипов можно штамповать за час.
Но одного лазера мало. Полноценный EUV-сканер требует сложнейшей оптики, прецизионных приводов и софта — у китайских прототипов с этим пока проблемы. Эксперты считают, что работающая система появится не раньше 2028-2030 года. Поставки западного EUV-оборудования в Китай запрещены с 2019-го.
Успеет ли Китай догнать Запад до того, как нормы сократятся до 3 нм и меньше?
⚡ Новости технологий первыми — Telegram