08.08.2026 08:05
TSMC и NYCU разработали атомный буфер для 2D-транзисторов Исследователи из Национального университета Ян Мин Цзяотун (N
TSMC и NYCU разработали атомный буфер для 2D-транзисторов
Исследователи из Национального университета Ян Мин Цзяотун (NYCU) и TSMC нашли решение проблемы 2D-полупроводников — деградации характеристик при нанесении изолятора. При использовании монослоя дисульфида молибдена (MoS₂) толщиной 0,7 нм стандартные методы осаждения затворного диэлектрика приводят к дефектам и рассеянию электронов.
Ученые сформировали на поверхности MoS₂ промежуточный эпитаксиальный слой алюминия, который при окислении образовал прослойку оксида алюминия толщиной 0,42 нм, поверх которой нанесли основной изолятор из оксида гафния. Этот атомный буфер обеспечил ровный рост диэлектрика и защитил проводящий канал.
В результате на CVD-монослое MoS₂ удалось создать короткоканальные транзисторы с эквивалентной толщиной оксида около 1 нм и крутизной характеристики 0,45 мСм/мкм. Метод одновременно снизил утечки тока и сохранил высокую подвижность электронов, приблизив 2D-материалы к массовому производству на подложках.
Исследователи из Национального университета Ян Мин Цзяотун (NYCU) и TSMC нашли решение проблемы 2D-полупроводников — деградации характеристик при нанесении изолятора. При использовании монослоя дисульфида молибдена (MoS₂) толщиной 0,7 нм стандартные методы осаждения затворного диэлектрика приводят к дефектам и рассеянию электронов.
Ученые сформировали на поверхности MoS₂ промежуточный эпитаксиальный слой алюминия, который при окислении образовал прослойку оксида алюминия толщиной 0,42 нм, поверх которой нанесли основной изолятор из оксида гафния. Этот атомный буфер обеспечил ровный рост диэлектрика и защитил проводящий канал.
В результате на CVD-монослое MoS₂ удалось создать короткоканальные транзисторы с эквивалентной толщиной оксида около 1 нм и крутизной характеристики 0,45 мСм/мкм. Метод одновременно снизил утечки тока и сохранил высокую подвижность электронов, приблизив 2D-материалы к массовому производству на подложках.