16.09.2026 08:58
Micron создала модуль памяти DDR5 RDIMM на 512 ГБ Компания Micron представила первый модуль DDR5 RDIMM объемом 512 ГБ,
Micron создала модуль памяти DDR5 RDIMM на 512 ГБ
Компания Micron представила первый модуль DDR5 RDIMM объемом 512 ГБ, работающий со скоростью до 9200 МТ/с. Высокой плотности добились за счет вертикальной компоновки кристаллов памяти, соединенных через сквозные кремниевые каналы (TSV). Это позволяет установить до 12 ТБ оперативной памяти в стандартный двухпроцессорный сервер.
По заявлениям Micron, новинка на 60% энергоэффективнее связки из четырех модулей RDIMM по 128 ГБ. В компании также утверждают, что в задачах аналитики данных прирост производительности достигает 40% по сравнению с системами на модулях по 256 ГБ.
Компания Micron представила первый модуль DDR5 RDIMM объемом 512 ГБ, работающий со скоростью до 9200 МТ/с. Высокой плотности добились за счет вертикальной компоновки кристаллов памяти, соединенных через сквозные кремниевые каналы (TSV). Это позволяет установить до 12 ТБ оперативной памяти в стандартный двухпроцессорный сервер.
По заявлениям Micron, новинка на 60% энергоэффективнее связки из четырех модулей RDIMM по 128 ГБ. В компании также утверждают, что в задачах аналитики данных прирост производительности достигает 40% по сравнению с системами на модулях по 256 ГБ.