24.04.2026 07:15
🧠 Стартап NEO Semiconductor создал прототип стековой 3D DRAM — памяти будущего Американская компания NEO Semiconductor
🧠 Стартап NEO Semiconductor создал прототип стековой 3D DRAM — памяти будущего
Американская компания NEO Semiconductor представила рабочий образец 3D X-DRAM — стековой оперативной памяти, которая может решить проблему дефицита ОЗУ. Год назад производители чипов игнорировали стартап, а сегодня за технологией выстроилась очередь из инвесторов и заказчиков. Среди них — легендарный Стэн Ши, основатель Acer и 20 лет возглавлявший TSMC.
Прототип изготовили в Тайваньском научно-исследовательском институте полупроводников при поддержке Национального университета Янмин Цзяотун. Результаты впечатляют:
— Задержка чтения/записи меньше 10 наносекунд
— Время регенерации при 85°C больше 1 секунды (в 15 раз лучше стандарта JEDEC)
— Износостойкость 10¹⁴ циклов
— Шина данных 32 000 бит
По замыслу NEO, такая архитектура позволит создать чипы плотностью 512 Гбит с пропускной способностью в 16 раз выше современной HBM. Стандарт HBM достигнет таких показателей не раньше 2050 года, а NEO обещает коммерческий продукт в обозримом будущем.
Джек Сан, бывший технический директор TSMC, подтвердил: концепция доказана на реальном кремниевом производстве с отработанными процессами.
Когда стековая DRAM заменит классическую оперативку в наших ПК?
💡 GPT, Claude, Gemini в одном сервисе — chatru.net
Американская компания NEO Semiconductor представила рабочий образец 3D X-DRAM — стековой оперативной памяти, которая может решить проблему дефицита ОЗУ. Год назад производители чипов игнорировали стартап, а сегодня за технологией выстроилась очередь из инвесторов и заказчиков. Среди них — легендарный Стэн Ши, основатель Acer и 20 лет возглавлявший TSMC.
Прототип изготовили в Тайваньском научно-исследовательском институте полупроводников при поддержке Национального университета Янмин Цзяотун. Результаты впечатляют:
— Задержка чтения/записи меньше 10 наносекунд
— Время регенерации при 85°C больше 1 секунды (в 15 раз лучше стандарта JEDEC)
— Износостойкость 10¹⁴ циклов
— Шина данных 32 000 бит
По замыслу NEO, такая архитектура позволит создать чипы плотностью 512 Гбит с пропускной способностью в 16 раз выше современной HBM. Стандарт HBM достигнет таких показателей не раньше 2050 года, а NEO обещает коммерческий продукт в обозримом будущем.
Джек Сан, бывший технический директор TSMC, подтвердил: концепция доказана на реальном кремниевом производстве с отработанными процессами.
Когда стековая DRAM заменит классическую оперативку в наших ПК?
💡 GPT, Claude, Gemini в одном сервисе — chatru.net