25.04.2026 11:57
NEO Semiconductor подтвердила жизнеспособность технологии 3D X-DRAM Компания NEO Semiconductor объявила (https://www.tom
NEO Semiconductor подтвердила жизнеспособность технологии 3D X-DRAM
Компания NEO Semiconductor объявила (https://www.tomshardware.com/tech-industry/artificial-intelligence/neo-semiconductors-revolutionary-3d-x-dram-for-ai-processors-has-passed-proof-of-concept-validation-company-secures-funding-to-develop-next-gen-memory-hbm-alternative)
об успешном прохождении этапа концептуальной проверки (POC) своей архитектуры 3D X-DRAM. Прототипы микросхем, протестированные совместно с тайваньскими исследовательскими институтами, подтвердили возможность создания нового класса памяти с использованием существующей инфраструктуры для производства 3D NAND. Это позволяет значительно снизить затраты на развертывание производства, так как технология совместима с отработанным оборудованием и материалами.
В ходе испытаний 3D X-DRAM продемонстрировала задержку чтения и записи менее 10 нс и устойчивость к нагрузкам более 10¹⁴ циклов. Особое внимание разработчики уделили надежности: время сохранения данных при температуре 85°C составило более 1 секунды, что в 15 раз превышает текущие стандарты JEDEC для обычной DRAM. В отличие от памяти HBM, где готовые кристаллы укладываются друг на друга, архитектура NEO предполагает создание монолитной вертикальной структуры. Такой подход упрощает производство и помогает преодолеть физические пределы масштабирования традиционной оперативной памяти.
Компания NEO Semiconductor объявила (https://www.tomshardware.com/tech-industry/artificial-intelligence/neo-semiconductors-revolutionary-3d-x-dram-for-ai-processors-has-passed-proof-of-concept-validation-company-secures-funding-to-develop-next-gen-memory-hbm-alternative)
об успешном прохождении этапа концептуальной проверки (POC) своей архитектуры 3D X-DRAM. Прототипы микросхем, протестированные совместно с тайваньскими исследовательскими институтами, подтвердили возможность создания нового класса памяти с использованием существующей инфраструктуры для производства 3D NAND. Это позволяет значительно снизить затраты на развертывание производства, так как технология совместима с отработанным оборудованием и материалами.
В ходе испытаний 3D X-DRAM продемонстрировала задержку чтения и записи менее 10 нс и устойчивость к нагрузкам более 10¹⁴ циклов. Особое внимание разработчики уделили надежности: время сохранения данных при температуре 85°C составило более 1 секунды, что в 15 раз превышает текущие стандарты JEDEC для обычной DRAM. В отличие от памяти HBM, где готовые кристаллы укладываются друг на друга, архитектура NEO предполагает создание монолитной вертикальной структуры. Такой подход упрощает производство и помогает преодолеть физические пределы масштабирования традиционной оперативной памяти.